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（調查報告公司出品方/策略師：國海證券鄭震湘佘淩星 陳永亮）
1.1 耕耘輸出功率積體(ti) 電路，IDM&程序語言博戈達
PSBD 晶片、PMBD 晶片已逐步形成完備的民用係列商品和車規係列商品，並穩步減少新技術標準。當中，電動汽車引擎高效率 PMBD 整流器晶片已在數家斯堪尼亞(ya) 試驗中；FRED 整流器晶片已同時實現 200V-600V 多係列商品批量生產(chan) ，並漸漸向 1200V 及更高電流係列商品擴充。
緊隨納米技術態勢，產(chan) 業(ye) 布局第二代積體(ti) 電路。
1.2 股份分散，雇員鞭策廣為(wei) 實行
創業(ye) 團隊砥礪前行，股份鞭策到位。
1.3 業(ye) 績高增，把握高增長及代替發展機遇
收入及淨利穩步高增，受惠於(yu) 下遊高增長及代替發展機遇。
新商品放量提升，進入高增長高增長時期。
總體(ti) 毛利率穩中有升，積體(ti) 電路矽片毛利率提升顯著。
精細化運營提升管理效率，有效降低期間費用率。
輸出功率積體(ti) 電路下遊應用十分廣為(wei) ，電動汽車及工控為(wei) 前兩(liang) 大應用領域。
輸出功率積體(ti) 電路幾乎應用於(yu) 包括計算機領域、網絡通信、消費類電子、工業(ye) 控製等傳(chuan) 統電子產(chan) 業(ye) 及新能源電動汽車、光伏發電等等各類電子製造業(ye) 。
根據 Yole 統計，2019年電動汽車及工業(ye) 領域為(wei) 前兩(liang) 大應用領域，各占據29%的份額，其次為(wei) 通訊、計算機等。
中長期來看，新能源電動汽車、工業(ye) 自動化、可再生能源設施建設及新興(xing) 消費電子等領域將穩步驅動行業(ye) 增長。
高端二極管國產(chan) 代替仍有較大空間，TNUMBERA46二極管於(yu) 國內(nei) 居領跑地位。小家電用二極管
當前國產(chan) 商品中，中大型民營企業(ye) 占據50%份額，分散度較高。
TNUMBERA46擁有從(cong) 晶片製造到封裝測試全套生產(chan) 工藝，為(wei) 國內(nei) 少數生產(chan) 、製造全係列商品二極管、整流器橋、分立器件晶片的規模民營企業(ye) 之一。
2.1 MOSFET：需求端全麵爆發，供給端產(chan) 能吃緊
輸出功率 MOSFET 為(wei) 現代電源開關(guan) 器件的優(you) 先選擇，適用高頻低輸出功率場景。
輸出功率 MOSFET 以其工作頻率較高、低開關(guan) 損耗、低驅動損耗、高擊穿電流、高電流等特點，廣為(wei) 應用於(yu) 如 AC-DC、DC-DC 轉換器等開關(guan) 穩壓器及電機控製器，而由於(yu) 輸出功率 MOSFET 是多子器件，導通損耗比較大，導通時器件壓降較大，不適用於(yu) 大輸出功率裝置。
MOSFET 應用場景涵蓋消費電子、計算機及外設設備、通信設備、電動汽車電子、工業(ye) 電子設備等多領域。
依據耐壓性能，MOSFET 可分為(wei) 中低壓和高壓。
由於(yu) MOSFET 應用環境多樣且複雜，性能及參數以環境而定，故種類和型號多樣，通常可以根據其耐壓性能分為(wei) 中低壓 MOSFET（通常為(wei) <200V）和高壓 MOSFET（通常為(wei) >600V），當中低壓應用場景包含便攜式消費電子、DC-DC 轉換器、顯示、照明、適配器、通訊電源（高頻）、嵌入式係統及工業(ye) 領域等，高壓 MOS 應用場景包含高壓開關(guan) 電源、AC 適配器、電動汽車充電器、家電、基站、高壓逆變器、電子鎮流器等。小家電用二極管
電動汽車電子、消費電子和工業(ye) 電子為(wei) MOSFET 最大的下遊應用領域。
他們(men) 認為(wei) 新能源電動汽車、工業(ye) 4.0 智能裝備建設以及 5G 基建同樣帶來高壓 MOSFET 的高增長發展機遇。
輸出功率器件對製程要求不高，主要在8寸及6寸產(chan) 線生產(chan) 。
在摩爾定律驅動下，晶片晶圓尺寸由6寸→8寸→12寸演變。晶圓麵積越大，所能生產(chan) 的晶片就越多，可大幅降低成本。
但相比於(yu) 12寸晶圓，8英寸固定成本低、達到成本效益生產(chan) 量要求較低、技術成熟等特點被應用於(yu) 輸出功率器件、MEMS、電源管理晶片等特色工藝晶片的製作，與(yu) 12寸逐步形成互補。
8寸晶圓設備停產(chan) ，限製產(chan) 能釋放。
8寸晶圓廠始建於(yu) 1990年， 2007年全球8寸晶圓代工廠數量達到頂峰201座，隨後12寸晶圓漸漸成熟，存儲(chu) ，邏輯代工等產(chan) 能紛紛遷移至12寸晶圓。
8寸晶圓代工廠由於(yu) 運行時間過長，設備老舊，同時12寸晶圓廠資本支出規模巨大，部分廠商漸漸關(guan) 閉8寸晶圓廠，設備廠商也停止生產(chan) 8寸設備。
新增產(chan) 能以 12 寸為(wei) 主，8 寸晶圓代工廠產(chan) 能近年無明顯擴張。
據 SEMI 數據，全球積體(ti) 電路製造商在 2021~2022 年將新建 29 座工廠（全部投產(chan) 後，新增月產(chan) 能 260 萬(wan) 等效 8 寸片），當中 2021 年開建 19 座，2022 年再建 10 座。
據 SIA 預測，2020~2024，全球 8 寸晶圓產(chan) 能增長僅(jin) 17%。
據 DIGITIMES 數據，2018~2021 年全球前十大晶圓代工廠 8 寸晶圓代工產(chan) 能 CAGR 平均僅(jin) 4.2%。
2.2 IGBT：為(wei) 新能源電動汽車的核心，受惠電動化態勢
IGBT 為(wei) 新能源電動汽車核心，是最有提升空間的部分。
新能源電動汽車包含三大係統：電源、電機、電控。電源幾乎占據整車成本的 50%，但受限於(yu) 鋰電池技術條件，提升空間不大。
目前在新能源電動汽車中，最有提升空間的當屬電機驅動部分，電機的技術水平直接影響整車的性能和成本，而電機驅動部分最核心的元件為(wei) IGBT。IGBT 主要應用在逆變器中，成本約占整個(ge) 電機驅動係統成本的一半，作用是將高壓電池的直流電轉換為(wei) 驅動三相電機的交流電。
此外 IGBT 在電動汽車充電樁、車載電控等也有至關(guan) 重要的作用，在車載空調控製係統、小輸出功率直流/交流(DC/AC)逆變，也有使用小輸出功率的 IGBT。
從(cong) 成本端看，IGBT 模塊單車價(jia) 值量高。
電控係統在整車成本中占比第二，而作為(wei) 電控的核心部件，IGBT 占據整個(ge) 電控係統成本約 37%，如果加上充電係統中所用到的 IGBT（占充電柱成本約 20%），其成本占比將會(hui) 更高。在特斯拉的雙電機全驅動版車型 Model X中，使用了 132 個(ge) IGBT 管，當中前電機有 36 個(ge) ，後電機有 96 個(ge) ，價(jia) 值大約 在 650 美元。小家電用二極管
工業(ye) 控製、白色家電、動車等領域，IGBT 同樣具備潛力。
工控領域大量使用交直流電動機，例如數控機床的伺服電機、軋鋼機和礦山牽引、大型鼓風機等都采用電力電子變頻調速技術。當中 IGBT 在變頻器中擔任輸出驅動。
光伏等新能源領域迅速發展同樣具備推動力。
近年來以風能、太陽能等為(wei) 代表者的新能源產(chan) 業(ye) 發展迅速，風力發電、光伏發電中的整流器器和逆變器都須要使用 IGBT 模塊，而且 IGBT 模塊是逆變器的核心電子元器件，因此，未來新能源領域的快速發展將會(hui) 助推 IGBT 需求。
IGBT 模塊還被廣為(wei) 應用於(yu) 軌交等領域。
動車組最核心的部件之一是牽引變流器，它負責將超高電流轉化為(wei) 列車的動力，以 CRH3 為(wei) 例，每輛列車裝有 4 台牽引變流器，每台搭載了 32 個(ge) IGBT 模塊，則每輛列車搭載的 IGBT 模塊共計 128 個(ge) ，這些 IGBT 模塊合計為(wei) 整個(ge) 列車提供了約 10 兆瓦的輸出功率。小家電用二極管
2.3 海外供應商領跑，國產(chan) 代替空間廣闊
英飛淩、富機電子和安森美等廠家在 1700V 以下的中低電流 IGBT 領域處於(yu) 領導地位，三菱則主宰了 2500V 以上的高電流 IGBT 領域。
4.1 研發投入加大，輸出功率器件品類穩步豐(feng) 富
IGBT、MOSFET 產(chan) 業(ye) 布局趨於(yu) 完善，研發廣度和深度提升。
4.2 IDM 模式強化交付，產(chan) 能穩步擴充
他們(men) 梳理全球前五大電動汽車晶片廠2021年四季度業(ye) 績說明會(hui) ，2022年電動汽車及工業(ye) 晶片仍將穩步供不應求，供應鏈、庫存、交期等一係列商品問題穩步存在，五大廠商指引 2022Q1 收入環比僅(jin) 有一家下滑，表明行業(ye) 仍然十分強勁。
（3）意法積體(ti) 電路同樣表示 2022 年電動汽車的標準產(chan) 能（MOSFET、IGBT、MCU）已訂滿，且渠道沒有庫存積累，同時上遊基板、引線框欠缺影響。緊張局勢有望在 2022 年底前逐步改善。小家電用二極管
（4）恩智浦下遊電動汽車、工業(ye) 等領域在未來4~5個(ge) 季度仍然相當緊缺。渠道庫存下降到1.5個(ge) 月，穩步低於(yu) 預期的 2.4~2.5 個(ge) 月，2022年年內(nei) 無法解決(jue) 該失衡問題。
4.3 直銷為(wei) 主深度合作，雙品牌共同發力
直銷為(wei) 主重視銷售投入，大客戶營銷顯成效。
耕耘輸出功率積體(ti) 電路，IDM&程序語言博戈達。
MOSFET、IGBT 賽道高高增長加持國產(chan) 代替發展機遇，帶來新增量。輸出功率 MOSFET 為(wei) 現代電源開關(guan) 器件的優(you) 先選擇，適用高頻低輸出功率場景。小家電用二極管
商品開發不及預期風險：
產(chan) 能擴充不及預期風險：
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